MateBook Perú
Módulo SSD M.2 NVMe y chips de memoria LPDDR5X sobre la placa base de un portátil
Ilustración 1 — Módulo SSD M.2 y memoria LPDDR5X soldada en placa

Ficha técnica · Almacenamiento y memoria

Memoria RAM y almacenamiento SSD ultrarrápido

El presente apartado describe la subsistema de memoria y almacenamiento de la plataforma MateBook: tipo de memoria integrada, configuraciones disponibles, interfaz del SSD, valores de transferencia secuencial y aleatoria, comportamiento térmico bajo carga sostenida y margen real de ampliación. Los valores se expresan como máximos de laboratorio y varían según configuración y firmware.

Índice de contenidos

Estructura del apartado

Tres parámetros que determinan la respuesta del sistema

Latencia de acceso

La memoria LPDDR5X opera con temporizaciones internas fijas de fábrica. Una menor latencia reduce el tiempo de apertura de aplicaciones y el cambio de contexto entre procesos.

Ancho de banda

El bus de 128 bits y la frecuencia efectiva definen el caudal máximo de datos entre el procesador y la memoria. El canal dual se reparte en cuatro subcanales de 32 bits.

Sostenibilidad térmica

El SSD NVMe reduce su velocidad cuando la controladora alcanza el umbral térmico. El sistema de disipación de la carcasa determina cuánto tiempo se mantiene el pico de transferencia.

La memoria RAM es un conjunto de celdas volátiles organizadas en bancos, cuya función consiste en almacenar instrucciones y datos de forma temporal mientras el procesador los requiere. En los equipos MateBook la memoria se integra directamente en la placa base mediante soldadura BGA, de modo que su tipo, su frecuencia y su capacidad quedan fijados durante el proceso de fabricación y no admiten sustitución posterior.

La plataforma emplea LPDDR5X, una variante de bajo consumo derivada del estándar DDR5. La tensión de operación se sitúa en torno a 0,5 V y la frecuencia efectiva se escalona entre 6400 y 8533 MT/s según el modelo. La integración soldada reduce la longitud de las pistas y, con ello, la interferencia electromagnética y el consumo en reposo.

LPDDR5X soldada
Memoria de bajo consumo integrada en placa. Se distribuye en cuatro subcanales de 32 bits que conforman un bus total de 128 bits. Es la única variante presente en la línea MateBook comercializada en Perú.
DDR5 SO-DIMM
Módulo ranurado de formato compacto, con contactos dorados y lengüeta de retención. No se emplea en esta plataforma: la altura del módulo y el consumo asociado resultan incompatibles con el perfil del chasis.
Memoria de vídeo compartida
El controlador gráfico integrado reserva una porción dinámica de la memoria del sistema. La asignación se ajusta automáticamente en función de la carga y no requiere configuración manual.

El conjunto completo de especificaciones de la gama se documenta en el Manual de Especificaciones MateBook Perú. Los valores de consumo y autonomía asociados a esta configuración se detallan en el apartado sobre duración de batería en jornadas laborales.1

Se comercializan tres capacidades de memoria: 8, 16 y 32 GB. La frecuencia efectiva depende del procesador instalado, no de la capacidad, de modo que dos equipos con distinta dotación de memoria pueden compartir idéntico ancho de banda si montan el mismo chip.

Capacidad Tipo Frecuencia Bus Ancho de banda
8 GB LPDDR5X 6400 MT/s 128 bits ≈ 102 GB/s
16 GB LPDDR5X 7467 MT/s 128 bits ≈ 119 GB/s
32 GB LPDDR5X 7467 MT/s 128 bits ≈ 119 GB/s

El ancho de banda teórico se obtiene multiplicando la frecuencia efectiva por el ancho del bus y dividiendo el resultado entre ocho. En la práctica, el caudal sostenido medido se sitúa entre el 70 % y el 80 % del valor nominal debido a los ciclos de refresco y a la sobrecarga del controlador. Con 16 GB resulta posible mantener abiertos varios entornos de desarrollo, un navegador con veinte pestañas y una máquina virtual ligera sin recurrir al archivo de paginación del disco.

La configuración de 32 GB se orienta a cargas de trabajo con conjuntos de datos extensos: edición de vídeo en resolución 4K, compilación de proyectos grandes y virtualización múltiple. El sistema operativo reserva aproximadamente 3,5 GB para uso interno, por lo que la capacidad efectiva disponible para aplicaciones resulta inferior a la nominal.

El almacenamiento se resuelve mediante una unidad de estado sólido en formato M.2 2280, conectada a cuatro carriles PCI Express 4.0 y gobernada por el protocolo NVMe en su revisión 2.0. Frente al antiguo bus SATA III, limitado a 6 Gb/s, la interfaz PCIe 4.0 x4 ofrece un caudal teórico cercano a 8 GB/s por sentido.

La unidad utiliza celdas NAND de tipo TLC, con tres bits por celda, y una caché dinámica HMB que aprovecha una fracción de la memoria del sistema. Esta arquitectura reduce el coste sin renunciar al rendimiento en lectura, si bien penaliza las escrituras sostenidas de bloques muy grandes cuando la caché SLC se agota.

Equipo portátil mostrando gráficas de benchmark de almacenamiento
Ilustración 2 — Registro de transferencia secuencial y aleatoria en banco de pruebas
  • Factor de forma M.2 2280: 22 mm de ancho por 80 mm de largo, un solo conector con muesca tipo M.
  • Cifrado por hardware AES de 256 bits gestionado desde el firmware del equipo.
  • Compatibilidad descendente con carriles PCIe 3.0, con reducción proporcional del caudal.

El procedimiento de montaje y las precauciones eléctricas asociadas se describen en la guía de uso y mantenimiento.

La transferencia secuencial mide el caudal obtenido al leer o escribir bloques contiguos de 128 KiB con una cola de 32 operaciones. Este indicador describe el comportamiento del disco durante la copia de archivos de gran tamaño y la reproducción de material de vídeo sin comprimir.

Unidad Interfaz Lectura Escritura
SSD 512 GB PCIe 4.0 x4 hasta 5.000 MB/s hasta 3.500 MB/s
SSD 1 TB PCIe 4.0 x4 hasta 6.500 MB/s hasta 5.000 MB/s
SSD 1 TB (gama alta) PCIe 4.0 x4 hasta 6.800 MB/s hasta 5.200 MB/s
Referencia SATA III SATA 6 Gb/s hasta 550 MB/s hasta 520 MB/s

La diferencia respecto a una unidad SATA se aproxima a un orden de magnitud en lectura. En términos operativos, la copia de un archivo de 20 GB se completa en torno a cuatro segundos con la unidad de 1 TB, frente a los casi cuarenta segundos que exige una unidad SATA equivalente. Los valores corresponden a la primera pasada, con la caché SLC vacía.

El acceso aleatorio en bloques de 4 KiB con profundidad de cola 1 refleja la actividad real del sistema operativo: apertura de aplicaciones, carga de bibliotecas y lectura de archivos de registro. Es el indicador que mejor correlaciona con la percepción de fluidez durante la jornada laboral.

Las mediciones de laboratorio arrojan valores de hasta 600.000 IOPS en lectura aleatoria y hasta 450.000 IOPS en escritura, con una latencia media inferior a 0,08 ms. El tiempo de arranque completo del sistema se sitúa por debajo de doce segundos y la apertura de un entorno de desarrollo pesado requiere alrededor de tres segundos.

Observación de laboratorio

Al alcanzar el 85 % de ocupación, el rendimiento aleatorio desciende entre un 15 % y un 25 % debido al mecanismo de recolección de basura. Mantener un 15 % de espacio libre preserva los valores nominales.

La controladora del SSD y las celdas NAND generan calor durante la escritura. La carcasa de aleación actúa como disipador pasivo y una lámina conductora transmite el calor desde el módulo hacia el chasis. La temperatura de operación se mantiene entre 35 °C y 55 °C en condiciones normales.

Al superar los 70 °C, el firmware reduce progresivamente la velocidad de escritura para proteger la integridad de los datos. En una prueba de escritura continua de 100 GB, la unidad sostiene el pico durante los primeros 25 GB y posteriormente estabiliza el caudal en torno a 1.200 MB/s. La memoria LPDDR5X mantiene su frecuencia sin limitación térmica apreciable, dado su bajo consumo.

El uso sobre superficies blandas que obstruyen las rejillas inferiores eleva la temperatura interna y adelanta la limitación. La ventilación sobre superficies rígidas mantiene el régimen térmico dentro de los márgenes previstos.

La memoria RAM no admite ampliación: al estar soldada, la capacidad queda determinada en el momento de la compra. El almacenamiento, en cambio, puede sustituirse por otra unidad M.2 2280 NVMe de mayor capacidad, siempre que se respeten las especificaciones eléctricas y de formato.

Secuencia de sustitución de la unidad

  1. 01

    Apagado y descarga electrostática

    Se apaga el equipo, se desconecta el cargador y se mantiene pulsado el botón de encendido durante quince segundos para agotar la carga residual de los condensadores.

  2. 02

    Apertura de la tapa inferior

    Se retiran los diez tornillos Torx y se liberan las grapas perimetrales con una herramienta de apertura de material no conductor.

  3. 03

    Desconexión de la batería

    El conector de la batería se separa de la placa antes de manipular cualquier componente. Esta acción interrumpe la alimentación de los carriles PCIe.

  4. 04

    Sustitución del módulo M.2

    Se retira el tornillo de retención, se extrae la unidad en ángulo de treinta grados y se instala el nuevo módulo hasta el tope del conector tipo M.

  5. 05

    Verificación y clonación previa

    Antes del desmontaje se genera una imagen del sistema en un medio externo. Tras el montaje se comprueba la detección en la configuración de firmware y se restaura la imagen.

Parámetro Valor
Tipo de memoriaLPDDR5X soldada, bus de 128 bits
Capacidades8 / 16 / 32 GB
Ampliación de memoriaNo disponible
AlmacenamientoSSD M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4
Lectura secuencialhasta 6.800 MB/s
Lectura aleatoria 4Khasta 600.000 IOPS
Ampliación de almacenamientoSí, sustitución del módulo M.2

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Referencias

  1. 1 Manual de Especificaciones MateBook Perú, apartado de memoria y almacenamiento, edición 2024.
  2. 2 Registro de banco de pruebas, mediciones de transferencia secuencial y aleatoria sobre unidad de 1 TB.